为物联网联网推2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。
ZZGNR(ZGNR)展现出铁磁性和半金属性等奇特的电学特性,出小产品而理论计算表明ACGNR(AGNR)具有半导体特性,其带隙大小与其宽度成反比。本方法结合传统的自上向下(h-BN层的取向刻蚀)和自下向上(GNR模板生长)方法,型化实现了在二维绝缘h-BN表面的面内无缝拼接GNR制备,型化并且GNR可以保持其独特的电学性质。
集成(e)GNR带隙大小(Eg)与宽度(w)的关系图。(d)300K时,电路AGNR器件在Vgate为-25-25V时的ISD-VSD特性曲线。组合(b)特定取向的GNR的合成方法。
为物联网联网推文献链接Towardschiralitycontrolofgraphenenanoribbonsembeddedinhexagonalboronnitride(NatureMaterialsDOI:10.1038/s41563-020-00806-2)。(b,出小产品d)亚5nm超窄ZGNR(b)和AGNR(d)的三维AFM高度图像。
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ZGNR与超导体的接触会表现出拓扑电子态,集成可能在量子计算中得到应用。其中,电路PES-SO3H层充当功能层,PES-OHIm层充当支撑层。
组合2016年当选为美国国家工程院外籍院士。曾获北京市科学技术奖一等奖,为物联网联网推中国化学会青年化学奖,中国青年科技奖等奖励。
出小产品1996年进入日本科技厅神奈川科学技术研究院工作。迄今Nature,Acc.Chem.Res.,Chem.Soc.Rev.,J.Am.Chem.Soc.,Angew.Chem.Int.Ed.,Adv.Mater.等国际化学和材料界等杂志上发表论文500余篇(他引15000余次),型化出版合著4部,型化合作译著1部,担任担任《CCSChemistry》主编、《光电子科学与技术前沿丛书》主编、《中国大百科全书》第三版化学学科副主编、物理化学分支主编。
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